题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
注入相比扩散的掺杂，有哪些优点（）
A.温度低、掺杂均匀性精确受控
B.元素单一无污染
C.掺杂剂量精确控制
D.晶格有损伤
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A.设备简单
B.效率高
C.成本低
D.杂质纯度高
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第5题
1、在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。 2、入射离子的能量大于 时，可发生级联碰撞。 3、离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤，损伤有三种： 、 、 ，前两种为简单晶格损伤 4、离子注入晶格出现非晶层的剂量称为： 。 5、（判断）离子注入硅片后，注入区的电阻率基本不变。 6、（判断）实际掺杂常将离子注入和热扩散相结合使用。 7、（判断）离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 8、（判断）形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？ 9、离子注入后退火的目的主要有 ； 。 10、实际上，热退火温度比热扩散时的温度要低得多。在退火温度下，对于完美晶体中的杂质来说，扩散系数是很小的，甚至可以忽略。但是，对于注入区的杂质，即使在比较低的温度下，杂质扩散效果也是非常显著的。这是因为离子注入的晶格损伤造成硅内 的缘故，使扩散系数 ，扩散效应 。 11、离子注入时
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第11题
刻槽埋栅电池的叙述不正确优点是()。
A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触，提高电池的开路电压
B. 栅指电极埋入电池表面无遮光，提高短路电流密度
C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合
D. 淡磷扩散减少“死层”的形成，增加对长波的响应
