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[判断题]

单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。（)

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第1题

目前，使用的光检测器件的结构基础是具有（)PN结

A.高掺杂

B.低掺杂

C.不掺杂

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第2题

受电电压越高电价越高，受电电压越低高电价越低高。（)

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第3题

由于通过降低沟道区掺杂浓度会改变阈值电压，因此需要同时采用功函数低的栅材料。（)

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第4题

一般情况下，我们知道，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）

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第5题

从理论上讲，电晕线越细，其其晕电压越低。（)

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第6题

下列关于PN结的说法中，错误的是（)。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

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第7题

结垢层越厚，热阻越大，传热系数愈低。（)

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第8题

当某一电力线路发生接地时，距接地点越近，跨步电压越低。（)

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第9题

物质的爆炸下限越低，泄漏后越易达到爆炸浓度，因而危险性就越大。（)

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第10题

油品越轻，闪点越低。闪点越低越安全。（)

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