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[单选题]

霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括（)。

A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触

B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

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ABCD

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第1题

霍尔电势的不等位电势产生的主要原因不包括（)。

A.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

B.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上

C.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等

D.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触

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第2题

在使用霍尔元件时，产生不等位电势的原因是（)。

A.制作霍尔元件时，不能保证将霍尔电极焊在同一等位面上

B.霍尔元件的电极不可能作到完全欧姆接触

C.霍尔电势极的焊点大小不同，导致热容量不同

D.霍尔电势的引线布局不合理

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第3题

在使用霍尔元件时，下列因素中会对输出的霍尔电势造成影响的有（)。

A.元件的几何尺寸及电极焊点的大小

B.不等位电势

C.寄生直流电势

D.温度

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第4题

霍尔效应中，霍尔电势与（)。

A.激励电流成反比

B.磁感应强度成反比

C.激励电流成正比

D.霍尔片厚度成正比

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第5题

霍尔元件的误差主要包括不等位电势造成的零位误差和温度误差。（)

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第6题

将通以激励电流的霍尔传感器置于磁感应强度为零的磁场中，其输出的霍尔电势理论分析应该为零，但在实际应用中一般不为零，需要对其进行电位补偿。（)

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第7题

电势分析中,pH玻璃电极的内参比电极一般为（).

A.A.标准氢电极

B.B.铂丝

C.C.Ag-AgCl电极

D.D.甘汞电极

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第8题

因材料温度系数的不同，由GaAs（砷化镓)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒流驱动方式;而由InSb（锑化铟)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒压驱动方式。（)

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第9题

霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（)及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第10题

当转子叶片进入永久磁铁与霍尔触发器之间时，永久磁铁的磁力线被转子叶片旁路，不能作用到霍尔触发器上，通过霍尔元件的磁感应强度近似为零，霍尔元件不产生电压（)

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