以npn晶体管为例，ic与inc相比，相位___，幅度___。

A.之前，超前

B.之前，滞后

C.之后，超前

D.之后，滞后

A.功角δ增加，功率因数超前

B.功角δ减小，功率因数滞后

C.功角δ增加，功率因数滞后

D.功角δ减小，功率因数超前

A.功角δ增加，功率因数变为滞后;

B.功角δ增加，功率因数变为超前;

C.功角δ减小，功率因数变为超前;

D.功角δ减小，功率因数变为滞后;

A.减小，减小

B.增大，增大

C.减小，增大

D.增大，减小

A.超前90°

B.滞后90°

C.超前45°

D.滞后45°

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.增大振荡

B.滞后调节

C.超前调节

D.消除余差

A.i1滞后i275度

B.i1超前i275度

C.i1滞后i215度

D.i1超前i215度

A.A. 超前90°

B.B. 滞后90°

C.C. 同相

D.D. 超前0~90°

A.同相

B.电压滞后电流90°

C.电压超前电流90°