更多“STI中的填充氧化层是用CMP技术磨去比氮化硅层高的所有氧化…”相关的问题
第1题
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺,主要应用于()方面。
A.大马士革工艺
B.层间介质(ILD)CMP
C.浅沟槽隔离(STI)CMP
D.钨的CMP
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第3题
Rp是铝土矿或溶液中氧化铝与氧化硅分子比。()
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第4题
用焊条电弧焊多层焊时,第一层焊道常使用较小的焊接电流,焊接填充层常使用较大的焊接电流,焊接盖面层使用的焊接电流比填充层略小。()
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第5题
GB1752007中,硅酸盐水泥熟料中氧化钙和氧化硅质量比不小于2.0。()
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第6题
磷酸与泥料及硅砖中的二氧化硅,在温度高于160℃时可生成偏磷酸氧化硅。()
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第7题
COD的含义:化学需氧量用强氧化剂氧化废水中有机污染物所需的氧量。()
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第8题
未来网络运营对NCO的要求之一,就是实现跨域、跨层、跨厂家多种业务编排管理,从而实现网络业务端到端化配置,简化操作流程。()
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第9题
硅质页岩中有异常高的氧化硅含量,其硅质大多是碎屑石英。()
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