下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

B.PN结外加正向偏压增大

C.PN结外加反向偏压减小

D.使空间电荷区势垒宽度减小

A.沟道长度减小，阈值电压增大

B.沟道长度减小，阈值电压减小

C.沟道长度减小，阈值电源不变

D.沟道长度减小，阈值电压不一定

A.采用突变结

B.采用更高介电常数的氧化层

C.降低氧化层厚度

D.减小源漏区域的交叠

A.增大，增大

B.增大，减小

C.减小，增大

D.减小，减小

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度

A.应力增大，压力减小

B.应力增大，压力增大

C.应力减小，压力减小

D.应力减小，压力增大

A.交流分量不变，平均值增大

B.交流分量增大，平均值增大

C.交流分量减小，平均值增大

D.交流分量减小，平均值减小

A.声速降低，波幅增大

B.声速降低，频率增大

C.声速增大，波幅减小

D.声速降低，波幅减小