题目内容
（请给出正确答案）
[判断题]
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
判断题，请选择你认为正确的答案：
提交
查看答案
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
更多“制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，…”相关的问题
第6题
设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
第7题
n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。
A.可调电阻区的电压范围为
B.近漏处比近源处的沟道厚度要小
C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系
D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
