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[判断题]

p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。（)

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第1题

MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。（)

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第2题

某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第3题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题

某场效应管的电路符号如图1所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)

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第6题

P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。（）

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第7题

P型半导体多数载流子是空穴,带负电荷;N型半导体多数载流子是电子,带正电荷。（)

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第8题

n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（)。

A.可调电阻区的电压范围为

B.近漏处比近源处的沟道厚度要小

C.此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D.越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

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第9题

长沟道器件的源漏电流与沟道长度的倒数成正比。（)

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第10题

云堤·网站安全专家的网站安全防护服务可根据服务等级，分为基础型、增强型和专业型。（)

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