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第1题
IGBT为MOSFET与GTR组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。()
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第2题
IGBT管具有以GTR为主导元件,以MOSFET为驱动元件的复合结构。()
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第3题
一个三相逆变器拥有6个IGBT用于将一个直流电压转换成交流电压。()
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第4题
25T型客车逆变箱主电路为三相桥式电压型电路,采用IGBT作为开关器件,具有开关频率高,驱动简单,损耗低的特点。()
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第7题
城市是一个复合的、宏观的大系统。()。
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第8题
型号为KP50—7的半导体器件,是一个额定电流为50A的普通晶闸管。()
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第9题
门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管,简称()。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管,或绝缘栅晶体管,它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。
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第10题
IGBT的开关特性表明,关断波形存在电流拖尾的现象。()
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