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第1题
NEA光电阴极产生的光电发射主要来自于GaAs基底材料导带底附件的受激电子，因此发射出来的光电子能量分布比较集中，可以有利于后面的同心球电子光学系统减小色球差，提高像管的成像分辨能力
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第2题
电子由导带顶逸出物质表面所需要的最低能量，即为光电发射阈值。
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第3题
电子由导带顶逸出物质表面所需要的最低能量，即为光电发射阈值。
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第4题
电子由导带顶逸出物质表面所需要的最低能量，即为光电发射阈值。
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第5题
某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV。试计算：（1)产生光电效应的长波限；（2)产生费米能级相对于导带底的能级。
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第6题
某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV。试计算：（1)产生光电效应的长波限；（2)产生费米能级相对于导带底的能级。
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第7题
光电发射型摄像管的主要部件包括_________
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第8题
光电倍增管是由五个部分组成的。能够产生二次电子发射的部分是 。
A.光窗
B.光电阴极
C.电子光学系统
D.二次发射倍增系统
E.阳极
第9题
某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5eV，则产生光电效应的长波限（）
A.0.496um
B.0.496nm
C.0.248um
D.0.248um
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