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[主观题]

PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质

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第1题

PECVD方法制备薄膜的温度比较低，LPCVD的方法比较高，因此前者适应于金属前介质，后者应用与金属层间介质。

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第2题

10、PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是：。

A.温度比较低

B.薄膜制备的纯度比较高

C.淀积速度比较快

D.淀积的薄膜结构比较致密

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第3题

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的

A.PECVD

B.LPCVD

C.APCVD

D.LCVD

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第4题

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？

A.PECVD

B.LPCVD

C.APCVD

D.LCVD

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第5题

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？

A.PECVD

B.LPCVD

C.APCVD

D.LCVD

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第6题

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？

A.PECVD

B.LPCVD

C.APCVD

D.LCVD

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第7题

可用于制备二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？

A.APCVD

B.LPCVD

C.PECVD

D.LCVD

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第8题

可用于制备二氧化硅薄膜的CVD 方法有哪些？

A.APCVD

B.LPCVD

C.PECVD

D.LCVD

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