题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
NPN型和PNP型三极管的区别是（）。
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所有均否
答案
C、P区和N区的位置不同
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A.半导体材料硅和锗的不同
B.掺杂元素的不同
C.掺杂浓度的不同
D.P区和N区的位置不同
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第3题
在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A.NPN 型硅管
B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
第8题
测得放大电路中三极管三个管脚的对地电位分别为：①3.3V，②2.6V， ③15V，则对该三极管描述正确的是（）。
A.NPN型Ge材料三极管，①B极，②E极， ③C极
B.PNP型Ge材料三极管，①B极，②E极， ③C极
C.NPN型Si材料三极管， ①B极，②E极， ③C极
D.PNP型Si材料三极管， ①E极，②B极， ③C极
第9题
关于位置区的说法错误的是（）。
A.一个位置区可由属于不同BSC的小区构成
B.一个位置区可由属于不同MSC的小区组成
C.一个位置区只能由一个MSC处理
D.一个位置区有一个特定的识别码
