题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

2、以下关于MOS管说法正确的是

A.衬底偏置效应会导致阈值电压变大

B.MOS管是电流控制型器件

C.MOS管工作时电子和空穴都参与导电

D.温度上升会使导电因子变大

答案

D、温度上升会使导电因子变大

如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案

您可能会需要：

重置密码查看订单联系客服

安装赏学吧APP，拍照搜题省时又省心！

更多“2、以下关于MOS管说法正确的是”相关的问题

第1题

下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：

A.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。

B.p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。

C.当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。

D.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。

点击查看答案

第2题

沟道长度效应会导致MOS管的工作电流略微减小

点击查看答案

第3题

（）是一种电压控制型器件，（）载流子参与导电

A.MOS管，2

B.MOS管，1

C.三极管，1

D.三极管，2

点击查看答案

第4题

双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？

点击查看答案

第5题

题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻Ro是由MOS管的（）效应产生的。

A.体

B.衬底偏置

C.亚阈值导通

D.沟长调制

点击查看答案

第6题

CMOS门电路是以MOS管为开关器件构成的逻辑电路，它同时使用了PMOS管和NMOS管，以提高电路性能。对吗？

点击查看答案

第7题

一个CMOS器件由6个MOS管构成，它可能是

A.NOR2

B.NAND3

C.AND2

D.BUFFER

点击查看答案

第8题

以下属于电视型器件的有________

A.像管

B.变像管

C.CCD

D.CMOS

点击查看答案

第9题

使用LTSPICE 1）仿真50nm晶体管的IV和CV特性；2）仿真衬底偏置效应对阈值电压以及IV特性的影响

点击查看答案

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全，请在“赏学吧”公众号进行验证，点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证，验证成功后方可继续查看答案！

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信

警告：系统检测到您的账号存在安全风险

抱歉，您的账号因涉嫌违反赏学吧购买须知被冻结。您可在“赏学吧”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封，或联系客服。

微信搜一搜

赏学吧

点击打开微信