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[主观题]

有一16K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5ms。问:()总共需要多少DRAM芯片?()如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?()如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少

答案
(1)需要多少片DRAM 芯片?(64K×16)÷(16K×1)= 64 片(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?2ms÷128 = 15.625μs(3)如果用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?128×500ns = 64μs
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第1题

用128Kx8位的DRAM芯片,设计1024Kx32位的存储器,需要多少个DRAM芯片
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第2题

假定内存条容量为512MB,由8个64Mx8位的DRAM芯片组成,每个DRAM芯片的存储体阵列有8个位平面,则该DRAM芯片的地址引脚个数为()。
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第3题

有一64K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5us。问: (1)总共需要多少DRAM芯片? (2)如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? (3)如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少?
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第4题

有一16K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5ms。问: (1)总共需要多少DRAM芯片? (2)如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?(3)如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少?
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第5题

有一64K × 16位的存储器,用4K × 1位的DRAM芯片构成(内部结构64× 64)。读写周期为0.5us。问:()总共需要多少DRAM芯片?()如采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?()如采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,最少需要多少读/写周期?死区率是多少
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第6题

用1M*4的DRAM芯片通过()扩展可以获得4M*8的存储器。

A.位和字

B.位

C.字

D.字节

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第7题

用1M*4的DRAM芯片通过()扩展可以获得4M*8的存储器。

A.位和字

B.位

C.字

D.字节

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第8题

有一个16K*16位的存储器,由1K*4位的DRAM芯片构成,共需要()片DRAM芯片。

A.64

B.32

C.128

D.16

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第9题

某机器的主存共32KB,由16片16K x 1位(内部采用128x128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个刷新操作周期

A.128

B.256

C.1024

D.16384

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