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[主观题]

本征光电导器件的长波限可以达到130um。

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第1题

5、本征电导是指以作为载流子的电导。

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第2题

硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（）

A.200~365nm

B.400~700nm

C.700~1100nm

D.1~7um

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第3题

本征半导体制作的器件，其电学性质具有较好的温度稳定性。

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第4题

光电子器件可分为（）。

A.光源器件

B.光调制器件

C.光探测器件

D.光传输器件

E.光显示器件

F.光存储器件

G.光无源器件

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第5题

光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。（）

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第6题

绝大多数半导体器件都工作在（）。

A.本征激发区

B.强电离区

C.过渡区

D.弱电离区

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第7题

在实际应用中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏度。

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第8题

高频光电导衰退法测量少子寿命的原理是什么？

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第9题

本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。

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