题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于打浆的说法不正确的是（）
A.除去不溶性杂质
B.洗掉吸附在晶体表面的杂质
C.除去固体样品中高沸点、难挥发的溶剂
D.晶体的晶型在打浆过程中可能发生变化
答案
错误
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A.得到特定波长和强度的锐线光谱
B.将试样中的杂质除去，消除干扰
C.提供足够能量使试样灰化
D.蒸发、离解和激发
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第3题
补偿半导体的形成描述不正确的是（)
A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体
B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子
C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子
D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目
第5题
在正丁醚的精制过程中，先后用水、50%硫酸、水洗涤，最后用氯化钙干燥，各步的目的论述错误的是：
A.第一次水洗是为了除去有机层中大部分的酸和醇
B.50%硫酸洗涤是为了除去残余的正丁醇和副产物丁烯
C.最后水洗是为了除去正丁醇
D.氯化钙干燥可以除去水和残留的醇
第8题
去除原料药中重金属或其他超标金属离子的方法包括（）
A.可与氢氧根离子（HO-）形成不溶于水的沉淀，过滤除去
B.固态的金属盐和金属配合物可过滤除去
C.氨基酸、羟基羧酸和有机多元磷酸通过配位键与金属离子形成的配合物，在酸性条件下可被萃取到水相中
D.离子交换树脂
