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[单选题]

下列半导体材料中,表现为双极性行为的是()。

A.磷化镓中的锗

B.磷化镓中的硅

C.磷化镓中的锗

D.磷化铟中的硅

答案
GTR
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第1题

室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第2题

典型的本征半导体有

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁(Fe)

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第3题

磁阻效应实验中,被测量的磁阻元件是

A.锑化铟

B.砷化镓

C.硅

D.砷化铟

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第4题

下列关于微电子技术的叙述,错误的是?

A.Moore定律指出单块集成电路的集成度平均每年翻一番

B.现代集成电路使用的半导体材料主要是硅,也可以是化合物半导体如砷化镓等

C.现在PC机中使用的微处理器芯片都是超大规模和极大规模集成电路

D.微电子技术以集成电路为核心

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第5题

测得放大电路中的三极管管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V,说明该晶体管是 。

A.NPN锗管

B.PNP锗管

C.NPN硅管

D.PNP硅管

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第6题

在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V,则这只三极管属于 。

A.硅NPN型

B.硅PNP型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

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第7题

第31号元素镓(Ga)是当年门捷列夫预言过的类铝,现在是重要的半导体材料之一。Ga的核外电子排布式为 ;价电子构型为 ;它位于周期表中的第 周期、 族、 区。
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第8题

在某放大电路中三极管工作在放大状态,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管

B.NPN 型锗管

C.PNP 型硅管

D.PNP 型锗管

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第9题

某三极管处于放大状态,三个电极A、B、C的点位分别是-9V、-6V和-6.2V,则三极管的集电极是 ,基极是 ,发射极是 ,三极管由 材料制成。

A.B,C,硅

B.A,C,B,锗

C.B,A,C,锗

D.C,A,B,硅

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第10题

NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。

A.半导体材料硅和锗的不同

B.掺杂元素的不同

C.掺杂浓度的不同

D.P区和N区的位置不同

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