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[单选题]

关于晶体硅的单晶物理提纯,下列那种方式不需要坩埚

A.直拉法

B.铸造法

C.区域熔化法

D.FZ法

答案
区域熔化法
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第1题

区域熔化提纯法(FZ)和直拉法(CZ)两者相比,从能耗来看

A.CZ能耗高

B.FZ能耗高

C.两者能耗相同

D.不确定

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第2题

直拉法制备的单晶直径比较大,杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
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第3题

直拉法制备的单晶直径比较大,杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
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第4题

工业上最常用的多晶硅制备方法是()。 A. 三氯氢硅的氢还原法 B. 直拉法 C. 区熔法 D. 沉积法

A.沉积法

B.直拉法

C.区熔法

D.三氯氢硅的氢还原法

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第5题

直拉法单晶生长过程包括哪几个步骤,分别加以说明?
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第6题

下列哪种单晶硅的生长方法不需要用到坩埚?

A.CZ法

B.MCZ法

C.FZ法

D.无

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第7题

10、工业上最常用的多晶硅制备方法是()。

A.直拉法

B.沉积法

C.区熔法

D.三氯氢硅的氢还原法

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第8题

【单选题】口腔应用最广泛的铸造方法是

A.离心力铸造法

B.真空铸造法

C.真空加压铸造法

D.离心力、压力铸造法

E.抽吸、加压铸造法

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第9题

主币具有()性质

A.自由铸造

B.私自熔化

C.超差兑换

D.有限法偿

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