以下不是晶体三极管实现电流放大作用的条件之一的是（）。

晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。

晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

（14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。（）

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（）。

一个NPN硅晶体管基区宽度为2 mm，基区掺杂浓度为5E16 cm^-3，少子寿命为1E-6 S，基区少子扩散系数为15 cm^2/S，发射极电流密度为0.1 A/cm^2，计算在发射结基区一边的非平衡电子浓度，发射结电压以及基区输运因子（精确到小数点后4位,Si的ni=1.45E10 cm^-3）。

晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。

为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（）。

哪些不是电流源的作用？

晶体三极管的电流放大关系用数学式表达为:（IE=IB+IC)或近似为（IC=βIB)。