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[单选题]

T = 300 K时,计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。 已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0, mp*=0.56m0.

A.-12.8meV

B.-6.4meV

C.-25.6meV

D.12.8meV

答案
A、-12.8meV
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更多“T = 300 K时,计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的…”相关的问题

第1题

对于本征费米能级位置的描述,错误的是 。

A.电子有效质量等于空穴有效质量,本征费米能级位于禁带中央

B.电子有效质量小于空穴有效质量,本征费米能级低于禁带中央

C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关

D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动

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第2题

本征半导体中,导带中的电子数量 价带中的空穴数量。

A.相等

B.大于

C.小于

D.不确定

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第3题

磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率:

A.轴向均匀

B.轴向递减

C.轴向递増

D.径向递减

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第4题

下面哪种除硅方法不能从根本上起到除硅的作用()

A.+CO2

B.+ 烧碱

C.+石灰

D.+铝土

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第5题

铸造时强烈促进石墨化的化学元素是()。

A.硫

B.锰

C.硅

D.铁

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第6题

在钢材所含化学元素中,均为有害杂质的一组是()。

A.碳、锰、矾

B.硫、磷、锰

C.碳、磷、硅

D.氧、氮

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第7题

某点的大地坐标为N20.5°、E119.5°,按高斯投影3°带的分带投影,该点所在3°带的带号及其中央子午线经度分别为

A.20,119°

B.40,120°

C.19,119°

D.39,120°

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第8题

在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第9题

关于元素的相对定位模式,下列说法正确的是()

A.相对定位是将元素相对于它在标准文档流中的位置进行定位

B.可通过right、bottom等偏移属性改变相对定位元素的位置

C.可通过left、top等偏移属性改变相对定位元素的位置

D.应用相对定位后,元素在文档流中的位置将消失

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第10题

硅(Z=14)和锗(Z=32)具有相似的性质
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