题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
T = 300 K时,计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。 已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0, mp*=0.56m0.
A.-12.8meV
B.-6.4meV
C.-25.6meV
D.12.8meV
答案
A、-12.8meV
![](https://lstatic.shangxueba.com/sxbcn/h5/images/tips_org.png)
A.-12.8meV
B.-6.4meV
C.-25.6meV
D.12.8meV
第1题
A.电子有效质量等于空穴有效质量,本征费米能级位于禁带中央
B.电子有效质量小于空穴有效质量,本征费米能级低于禁带中央
C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关
D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动
第7题
A.20,119°
B.40,120°
C.19,119°
D.39,120°
第9题
A.相对定位是将元素相对于它在标准文档流中的位置进行定位
B.可通过right、bottom等偏移属性改变相对定位元素的位置
C.可通过left、top等偏移属性改变相对定位元素的位置
D.应用相对定位后,元素在文档流中的位置将消失
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