温度升高，晶体管输出特性曲线应（）。

温度升高，晶体管输出特性曲线（)A、上移B、下移C、不变

随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___

温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔（)。

温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将()，输出特性曲线将()。而且输出特性曲线的间隔将()。

晶体管的输出特性曲线会随温度的升高而向上移动。今有一硅晶体管,在UcE为8 V,IB分别为20μA和40μA的状态下,温度T=20 °C时Ic分别为0.85 mA和1.61 mA,T=45 °C时Ic分别为1.08 mA和2.12 mA。试求温度为20 °C、45°C时的交流电流放大系数β以及45°C时β比20 °C时增加的百分数。

晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在区

晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在区

温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。（)

温度升高时，三极管输出特性曲线之间的间隔将增大（）

当温度升高时，三极管的输出特性曲线向上移，电流放大系数β增大。（)

使用晶体管特性图示仪测量三极管输出特性曲线时，Y轴作用旋钮开关应置（)上。