PN结外加正向电压时，正确的说法是（）。

A.N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动

B.N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动

C.P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动

D.P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动

A.N区内的多子电子是顺着外电场的方向运动

B.N区内的杂质正离子是顺着外电场的方向运动

C.P区内的多子空穴是顺着外电场的方向运动

D.P区内的杂质负离子是逆着外电场的方向运动

A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

C.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

A.N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄

B.P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄

C.N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布

D.P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布

A.P型半导体中的多子是空穴

B.N型半导体中的多子是电子

C.PN结正向偏置时，扩散运动大于漂移运动

D.PN结反向偏置时， 漂移运动大于扩散运动

A.扩散运动得到抑制

B.空间电荷区变宽

C.形成多子运动的正向电流