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宽禁带半导体材料的禁带宽度是()

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大于等于3.0eV
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第1题

一般把禁带宽度大于或等于()的半导体材料归类为宽禁带半导体材料。

A.1eV

B.0.5eV

C.2.3eV

D.5eV

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第2题

通常绝缘体的禁带宽度比半导体禁带宽度大。
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第3题

室温时,下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是?

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第4题

允带之间不存在能级,称为禁带。
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第5题

PN结反向饱和电流的大小和如下哪些因素有关

A.禁带宽带

B.温度

C.正向电流

D.正向电压

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第6题

P型半导体带正电,N型半导体带负电。
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第7题

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量自由电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
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第8题

本征半导体中的空穴是 。

A.半导体晶格中的缺陷

B.电子脱离共价键后留下的空位

C.带正电的离子

D.带负电的离子

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第9题

(3) 半导体中的空穴是带正电的离子。()
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第10题

P型半导体是在纯净半导体中掺入____。

A.带负电的电子

B.带正电的离子

C.三价元素,如硼等

D.五价元素,如磷等

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