题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.突触后膜去极化
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜对Ca2+通透性增大
D.突触前轴突末梢超极化
E.由突触前膜递质释放量减少所致
答案
与突触后膜对Cl-、K+通透性增加有关;发生在突触后抑制中
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A.突触后膜去极化
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜对Ca2+通透性增大
D.突触前轴突末梢超极化
E.由突触前膜递质释放量减少所致
第7题
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受休结合
D.K+、Ca2+,特别是对K+的通透性升高
第9题
A.使突触后膜电位远离阈电位水平
B.由突触前末梢递质释放减少而产生
C.由突触后膜Na+电导增加而产生
D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生
E.是一种去极化抑制的突触后电位
第10题
A.都是局部电位
B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变
C.EPSP释放了兴奋性的递质,引起膜的去极化
D.IPSP引发了钾离子外流,突触后膜超极化
E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道
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