题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是，此时半导体表面导电。

A.电子，可以

B.空穴。可以

C.施主离子，不可以

D.受主离子，不可以

答案

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第1题

金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的（）承担所致。

A.电离施主

B.电离受主

C.电子

D.空穴

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第2题

以P-Si为衬底的MOS结构在达到强反型时，其表面空间电荷是负的

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第3题

当表面势大于零时，表面空间电荷区的电荷面密度Qs用正号。

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第4题

理想MOS结构是（)。

A.金半功函数差为零

B.栅氧化层内有效电荷密度不为零

C.栅氧化层与半导体界面处存在界面态

D.无法确定

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第5题

当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠（）导电，这种半导体称为P型半导体。

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第6题

半导体表面态密度很高时，可以屏蔽金属接触的作用，使半导体内的势垒高度和金属功函数几乎无关

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第7题

重量分析中，杂质在沉淀过程中以混晶形式进入沉淀时，主要是由于

A.沉淀表面电荷不平衡

B.表面吸附

C.沉淀速度过快

D.离子结构类似

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第8题

PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。

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第9题

热平衡状态中，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值。

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第10题

非化学计量化合物Fe1－xO晶体属于（）型半导体。

A.离子导电

B.电子导电

C.电子－空穴导电

D.空穴导电

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