题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

A.IGBT开关速度高于电力MOSFET

B.IGBT是电压驱动型器件

C.电力MOSFET存在二次击穿问题

D.IGBT具有擎住效应

答案

IGBT是电压驱动型器件;IGBT具有擎住效应

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第1题

在下列电力电子器件中开关频率最高的是哪一种器件？

A.IGBT

B.GTR (BJT)

C.SCR

D.Power MOSFET

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第2题

以下元件属于非自关断电力电子元件有（）。

A.MOSFET

B.双向晶闸管

C.电力晶体管

D.IGBT

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第3题

以下电力电子器件中，属于电流驱动型器件的有（)。

A.MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第4题

下列电力电子器件既属于单极型又属于电压驱动型器件的是（）

A.POWER MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第5题

下列电力电子器件中既属于单极型又属于电压驱动型器件的是哪一个？

A.IGBT

B.GTO

C.GTR

D.Power MOSFET

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第6题

在下列功率电子器件中开关频率最高的是（）

A.SCR

B.GTR

C.IGBT

D.POWER MOSFET

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第7题

IGBT综合了BJT和MOSFET的优点（）。

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第8题

IGBT管是由哪两种器件复合而成的（）。

A.MOSFET和GTR

B.GTR和GTO

C.GTO和MOSFET

D.MCT和MOSFET

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第9题

20世纪80年代后期，得到长足发展的器件是（）。

A.GTO

B.BJT

C.MOSFET

D.IGBT

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第10题

当电力电子器件的开关频率较高时，还需要考虑电力电子器件的损耗为（）

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