A.温度
B.压力
C.晶向
D.掺杂
第1题
第2题
第3题
B.厚度
C.硅晶向
第4题
A.增加氧化剂压力
B.提高温度
C.进行掺杂
D.选用合适的氧化方法,例如湿氧氧化
第5题
第6题
第7题
A.抛光速度
B.反应温度
C.四氯化碳的浓度
D.衬底晶向
第8题
A.反应温度
B.四氯化碳的浓度
C.衬底晶向
D.抛光速度
第9题
A.浓度
B.温度
C.催化剂
D.压力
第10题
B.催化剂
C.压力
D.浓度
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