题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面选项中对于拉单晶的工艺过程叙述正确的是（）。（1）熔硅（2）下种（3）收颈（4）放肩（5）转肩（6）等径生长（7）收尾

A.（1）（2）（3）（5）（4）（6）（7）

B.（1）（2）（4）（5）（3）（6）（7）

C.（1）（2）（3）（6）（4）（5）（7）

D.（1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）

答案

单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的。;实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素。

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第1题

CZ法制备单晶硅时，常见的crystal pulling过程分为下种、缩颈和

A.放肩

B.等径生长

C.收尾拉光

D.转肩

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第2题

关于拉单晶的顺序，下列选项中正确的是

A.引晶、种晶、缩颈、等径生长、收尾

B.种晶、引晶、缩颈、等径生长、收尾

C.种晶、引晶、等径生长、缩颈、收尾

D.种晶、引晶、等径生长、收尾

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第3题

三角肌注射的正确位置是（）

A.上臂外侧肩峰下 1～2横指处

B.上臂外侧肩峰下 3～4横指处

C.上臂外侧肩峰下 2～3横指处

D.上臂外侧肩峰下 4～5横指处

E.其余选项均不对

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第4题

对于热力学可逆过程，下列四种叙述中正确的是（）（1) 变化速率无限小的过程、（1) 可做最大功的过程（3) 循环过程、（4) 能使系统和环境都完全复原的过程；

A.(1)(2)(3)

B.(1)(2)(4)

C.(4)

D.(1)(4)

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第5题

1、对于热力学可逆过程，下列四种叙述中正确的是（）（1) 变化速率无限小的过程、（1) 可做最大功的过程（3) 循环过程、（4) 能使系统和环境都完全复原的过程；

A.(1)(2)(3)

B.(1)(2)(4)

C.(4)

D.(1)(4)

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第6题

正手击高球时，击球瞬间主要靠（）发力。（1）手指；（2）手腕；（3）手臂；（4）肩

A.（1）

B.（2）

C.（3）

D.（4）

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第7题

正手击高球时，击球瞬间主要靠（）发力。（1）手指；（2）手腕；（3）手臂；（4）肩

A.（1）

B.（2）

C.（3）

D.（4）

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第8题

正手击高球时，击球瞬间主要靠（）发力。（1）手指；（2）手腕；（3）手臂；（4）肩

A.（1）

B.（2）

C.（3）

D.（4）

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