题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
公式EH=KHIBcosθ中的θ是指（）
A.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
C.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角
D.b端连线与c、d端连线的夹角
答案
A、磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
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A.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
C.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角
D.b端连线与c、d端连线的夹角
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第2题
公式EH=KHIBcosθ中的θ是指（）。
A.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
C.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角
D.b端连线与c、d端连线的夹角
第9题
（多选）下列说法正确的是（）。
A.霍尔元件越薄，灵敏度系数越大。
B.实际使用中，为了获得较大的霍尔电压，可将多个霍尔元件串联起来，同时将其激励电极串联。
C.霍尔电极安装位置不在同一等位面上时会引起不等位电势。
D.恒流源激励并联分流电阻的电路可以实现霍尔传感器温度误差的补偿。
第10题
（单选）某霍尔元件的灵敏度系数为40V/（A▪T)，控制电流I=3.0mA,将它置于1×10-4T到5×10-4T线性变化的磁场（磁场方向）中，其输出霍尔电势范围为（）。
A.0μV~60μV
B.12μV~60μV
C.120μV~600μV
D.0μV~6μV
