题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次,且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns,求其刷新的开销(即进行刷新操作的时间所占的百分比)是()
A.3.2%
B.6.4%
C.12.8%
D.25.6%
答案
错
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A.3.2%
B.6.4%
C.12.8%
D.25.6%
第2题
A.245Mbps
B.461Mbps
C.922Mbps
D.1843Mbps
第3题
A.刷新地址可由CPU给出
B.集中刷新虽然保持了存储单体的高速特性,但存在死时间
C.异步刷新方式既保持了存储单体的高速特性,也不存在死时间
D.分散刷新由于刷新次数过多,大大降低了存储单体的性能
第4题
A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须“刷新”
B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失
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