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[主观题]

将宽长比为5,氧化层厚度为2 nm,电子迁移率为600 cm^2/Vs的NMOS器件用作可控电阻器。为了要在源漏电压较小的时候获得开态电阻等于300W,请问(VGS-Vt)应为()V。

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第1题

元素B的原子,其电子最后进入3p轨道,最高氧化数为+5,B的元素符号为
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第2题

原子吸收光谱法分析某元素时,若仪器线色散率倒数为2nm/mm,光谱带宽要求为2nm,则应选择的单色器狭缝宽度为 。
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第3题

CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成,其栅极相连作为输入,漏极相连作为输出,NMOS源极需接 ()电平,PMOS源极接() 电平。

A.低、高

B.高、低

C.低、低

D.高

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第4题

要使耗尽型NMOS的导电沟道消失,需要外加负的栅源电压。
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第5题

条形基础宽2m,基底埋深1.50m,地下水位在地面以下1.50m,基础底面的设计荷载为350KN/m,地基土分布:第一层土厚度为3米,天然重度γ=20.0kN/m3,压缩模量Es=12MPa;第二层为软弱下卧层,其厚度为5米,天然重度γ=18.0kN/m3,压缩模量Es=4MPa;扩散到软弱下卧层顶面的附加压力pz最接近于下列哪一个数值?

A.78kPa

B.89kPa

C.109kPa

D.143kPa

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第6题

羽毛球场地长为1340厘米,双打场地宽为()厘米,单打场地宽为()厘米。

A.610 518

B.611 519

C.612 520

D.610 519

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第7题

双极型CMOS电路实现逻辑功能采用 器件,驱动输出级采用 射极跟随输出电路。

A.NMOS;TTL

B.CMOS;混合

C.CMOS;TTL

D.TTL;混合

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第8题

在直流斩波电路中,由于输入电源为直流电,电流无过零点,常用何种类型的电力电子器件作为主开关器件?

A.不可控型

B.机械开关

C.全控型

D.半控型

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第9题

(单选)一般来说,在板框过滤机过滤终了时刻,滤液穿过滤饼层的厚度为()

A.滤框的厚度

B.滤框厚度的1/2

C.滤框厚度的2倍

D.滤框厚度的1/4

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第10题

(单选)一般来说,在板框过滤机洗涤滤饼时,洗涤液穿过滤饼层的厚度为()

A.滤框的厚度

B.滤框厚度的1/2

C.滤框厚度的2倍

D.滤框厚度的1/4

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