题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。
A.当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。
B.当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
C.当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。
D.当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
答案
固液界面的结构
如搜索结果不匹配，请 联系老师 获取答案
A.生长速度
B.温度梯度
C.合金成分
D.界面形态
更多“下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的…”相关的问题
第6题
过冷度△T对成核生长型相变的临界晶核形成与晶体生长速率皆有影响，其影响规律是（）
A.过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢
B.过冷度△T越小，临界晶核越容易形成，晶体生长越慢
C.在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核形成越困难，晶体生长越慢
D.在合适的过冷度范围内，过冷度△T越大，临界晶核越容易形成，晶体生长越快
