更多“以下适合作为单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池背接触电极…”相关的问题
第1题
单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池中,TCO层为电池的()。
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第2题
PN结结构的微晶硅薄膜太阳能电池利用漂移来收集光生载流子。
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第3题
实际应用中,单结微晶硅薄膜太阳能电池一般是在pn层之间再加入一个()层。
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第4题
微晶硅比非晶硅具有更好的结构有序性,用微晶硅薄膜制备的太阳能电池几乎没有光致衰减效应。
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第5题
微晶硅薄膜太阳能电池的工作原理与硅太阳电池一样,也是基于PN 结的 效应。
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第6题
单结微晶硅薄膜太阳能电池的本征层晶化率越高,电池的稳定性越高,其光致衰退率也越低。
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第7题
1994年,瑞士研究团队采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术和微量 掺杂的方法制备出转换效率大于7%的单结微晶硅p-i-n电池,掀起了微晶硅薄膜太阳能电池的研究热潮。
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第8题
非晶硅薄膜材料的结构特点是 程有序, 程无序。
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第9题
与晶体硅太阳能电池相比,薄膜太阳能电池的主要优点有哪些?
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第10题
以不锈钢为衬底的非晶硅薄膜太阳能电池 N-I-P结构组件制备工艺中,通常是采用磁控溅射法先沉积一层高反射的金属铝或银膜,再沉积厚度约70nm的ZnO薄膜。()
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