在CMOS基本结构中，每个输入控制（）个MOS器件

采用CMOS结构设计的3输入与非门NAND3中含有（）个MOS器件

采用CMOS结构实现逻辑运算 y=a’+b.c时，使用（）个MOS器件

在CMOS结构中，当2个输入控制的PMOS器件构成串联时，这2个变量进行与运算；

对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍

对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，若高电平驱动能力是2mA，低电平驱动为（）mA

采用开路门设计的3输入或非门NOR3中含有（）个MOS器件

一个CMOS器件由6个MOS器件构成，它可能是

在片内CMOS单元中，从输出到地的某条支路上存在4个MOS器件，需要使用多少个最小晶体管