题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是()。
A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
答案
错误
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A.N沟道增强型管,工作在可变电阻区
B.N沟道耗尽型管,工作在放大区
C.P沟道增强型管,工作在截止区
D.P沟道耗尽型管,工作在放大区
第1题
A.P沟道管,工作在可变电阻区
B.N沟道管,工作在放大区
C.P沟道管,工作在截止区
D.N沟道管,工作在截止区
第9题
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
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