更多“影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型…”相关的问题
第1题
影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz?怎样提高硅光电二极管的频率响应?
点击查看答案
第2题
影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz?怎样提高硅光电二极管的频率响应?
点击查看答案
第3题
若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。
A.PIN型光电二极管
B.3DU型光电三极管
C.PN结型光电二极管
D.硅光电池
点击查看答案
第4题
若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。
A.PIN型光电二极管
B.3DU型光电三极管
C.PN结型光电二极管
D.硅光电池
点击查看答案
第5题
若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。
A.PIN型光电二极管
B.3DU型光电三极管
C.PN结型光电二极管
D.2CR11硅光电池
点击查看答案
第6题
若要检测脉宽为10E-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。
A.PIN型光电二极管
B.3DU型光电三极管
C.PN结型光电二极管
D.2CR11硅光电池
点击查看答案
第7题
第一题:填空题 (每题4分, 共40分) 1.封装在光电隔离器里面的是 和 。 2. 光电效应以其表现形式不同, 可以分为 和 。 3. 基于外光电效应原理工作的光电器件有 和 。 4. 基于光电导效应原理工作的光电器件有 。 5. 基于光生伏特效应原理工作的光电器件有 、 和 等 。 6. 硅光电池的结构是在N型硅片上渗入P型杂质形成一个 PN结而成。 7.光电传感器的光照特性是指 。 8. 光电传感器的光谱特性是指 。 9.光电二极管和光电三极管的伏安特性是指 。 10.光电传感器的温度特性是指 。
点击查看答案
第8题
【判断题】光电池的工作原理是基于光生伏特效应的,硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
点击查看答案