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[主观题]

N沟道耗尽型MOSFET，已知夹断电压VPN= -1V，当vGS=1.5V时，夹断点电压对应的VDS = V。

答案

2.5

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第1题

场效应管分为两大类（）。

A.N沟道型和P沟道型

B.NPN型和PNP型

C.绝缘栅型和结型

D.增强型和耗尽型

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第2题

结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的

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第3题

N沟道结型场效应管工作在线性放大区时， VGS为（正/负）电压，VDS为（正/负）电压

A.正，正

B.正，负

C.负，正

D.负，负

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第4题

下列电力电子器件中既属于单极型又属于电压驱动型器件的是哪一个？

A.IGBT

B.GTO

C.GTR

D.Power MOSFET

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第5题

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A.增强型NMOS

B.增强型PMOS

C.耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS

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第6题

由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应：。

A.大于0

B.小于0

C.大于或小于0均可

D.无法确定

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第7题

以下电力电子器件中，属于电流驱动型器件的有（)。

A.MOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第8题

在电阻、电感、电容元件串联的交流电路中,已知电源电压U=1V,R=10W，L=4mH，C=160pF，则当电路发生谐振时电容器上的电压为（）V.

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第9题

晶体管输出型接口电路中，当输出锁存器的对应位分别为“0”、“1”时，晶体管对应的状态分别为（）。

A.导通，截止

B.截止，导通

C.导通，饱和

D.饱和，导通

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第10题

在电阻、电感、电容元件串联的交流电路中,已知电源电压U=1V,R=10W，L=4mH，C=160pF，则当电路发生谐振时品质因数为（）.

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