题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。
A.μGaAs<μGe<μSi
B.μGe<μSi<μGaAs
C.μSi<μGe<μGaAs
D.无法比较
答案
μ Si < μ Ge < μ GaAs
![](https://lstatic.shangxueba.com/sxbcn/h5/images/tips_org.png)
A.μGaAs<μGe<μSi
B.μGe<μSi<μGaAs
C.μSi<μGe<μGaAs
D.无法比较
第8题
A.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
B.室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体
C.室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体
D.室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
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