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压电半导体材料的力敏器件灵敏度高、响应时间长。

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第1题

电容式力传感器其特点是结构简单,灵敏度高,动态响应快,广泛应用于静动态力测量。
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第2题

气敏传感器的主要性能指标包括:

A.灵敏度

B.响应时间

C.选择性

D.迟滞

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第3题

气敏传感器的主要性能指标不包括:

A.灵敏度

B.响应时间

C.选择性

D.迟滞

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第4题

压阻式固态压力传感器是利用半导体材料的_压电_效应,在压力作用下,半导体膜片产生变形,电阻值发生变化。四个半导体应变片可以组成全桥。
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第5题

硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高,是因为()。

A.硅中电子有效质量大

B.硅的纯度高,杂质少

C.硅的禁带较宽

D.硅的禁带较窄

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第6题

砷化镓也是一种常见的半导体材料,属于化合物半导体,常用于制作超高速的晶体管和集成电路和各种半导体发光器件。
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第7题

5. 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高,是因为()。 A. 硅中电子有效质量大 B. 硅的熔点较高 C. 硅的禁带较宽 D. 硅的纯度高,杂质少

A.A

B.B

C.C

D.D

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第8题

气敏电阻工作时必须加热到(200~300)℃,其目的是提高器件的()和响应速度。

A.灵敏度

B.线性度

C.重复性

D.量程

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第9题

以下对于干簧管的描述不正确的是:

A.干簧管是一种磁敏的特殊开关

B.干簧管功耗小、灵敏度高、响应快,广泛应用于电子电路与自动控制设备中

C.干簧管只有两个引脚

D.干簧管只能输出检测开关量

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第10题

如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:

A.集成门极换流晶闸管简称IGCT。

B.金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。

C.绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。

D.半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。

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