题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：（）。
A.LPCVD
B.电阻蒸镀
C.磁控溅射
D.PECVD
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A.MBE
B.电子束蒸镀
C.磁控溅射
D.CBE
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第4题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：
A.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D.在铝膜表面覆盖Si3N4。
第5题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：
A.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu；
B.在淀积的铝膜中掺入约1%Si；
C.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；
D.在铝膜表面覆盖Si3N4。
第8题
试估算09MnNb（含碳0.1%，含锰1%，含硅0.4%，含铌0.015%）与15MnVN（含碳0.18%，含锰1.6%，含硅0.4%，含钒0.15%，含氮0.015%）的碳当量，并说明哪种材料的焊接性较好。
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