题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
3、目前采用的LD的结构属于（）。
A.F-P腔激光器
B.单异质结半导体激光器
C.同质结半导体激光器
D.双异质结半导体激光器
答案
D、双异质结半导体激光器
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A.F-P腔 (法布里一珀罗谐振腔) 激光器
B.单异质结半导体激光器
C.同质结半导体激光器
D.双异质结半导体激光器
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第11题
对异质结I-V特性的分析，以下说法正确的是？
A.对于低势垒尖峰形异质结，用扩散模型处理。
B.利用扩散模型得到的结果是异质 pn 结的正向电流随电压按e指数规律增加。
C.对于高势垒尖峰形异质结，采用热电子发射模型处理。
D.利用发射模型得到的结果是正向电流随电压按e指数关系增加。
E.对于低势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。
F.对于高势垒尖峰形异质结，用隧道模型处理。
