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[主观题]

光敏传感器是基于光敏电阻受光线强度影响而阻值发生变化的原理从而进行测量。

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第1题

以下对于光敏电阻的描述正确的是:

A.光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的

B.光敏电阻的阻值随入射光增强而增强

C.光敏电阻可以用于光的测量、控制与光电转换

D.光敏电阻的响应速度比光敏二极管快

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第2题

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___________(填“变大”、“不变”或“变小”);
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第3题

通过万用表获得光敏二极管与光敏三极管的特性,以下描述正确的是

A.无光照情况下,光敏二极管正向小电阻,反向电阻∞

B.有光照情况下,光敏二极管正向小电阻,反向电阻随光照增强而减小至几kΩ或1kΩ以下

C.无光照情况下,光敏三极管正向小电阻,反向电阻∞

D.有光照情况下,光敏三极管反向电阻∞ ,正向电阻有光照随光照增强而减小至1kΩ以下

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第4题

光敏电阻的功能为()

A.检测传感器与地面的距离

B.检测传感器与轨迹的相对位置

C.检测物体表面颜色

D.检测光的强度变化

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第5题

光敏电阻的()特性表征光敏电阻的灵敏度与入射波长的关系
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第6题

在机电产品中,下列哪种元件不属于机电产品常用的检测元件?

A.IR轨迹传感器

B.光学颜色传感器

C.单片机

D.光敏电阻

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第7题

(多选)下列光电器件中基于光生伏特效应的有()。

A.光电池。

B.光电二极管。

C.光敏电阻。

D.光电管。

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第8题

光敏电阻的()特性表征光敏电阻的灵敏度与入射波长的关系

A.光照

B.光谱

C.温度

D.伏安

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第9题

光敏晶体管基于外光电效应设计的。
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第10题

下列属于外光电效应的器件是()。 A.光电管 B.光敏电阻 C.光电池 D.光敏管

A.A

B.B

C.C

D.D

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