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细胞膜相对离子通透性的改变是动作电位产生的原因

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第1题

细胞膜相对离子通透性的改变是动作电位产生的原因
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第2题

神经纤维兴奋时,细胞膜对钠、钾离子的通透性同时增大,从而产生动作电位。()
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第3题

10、动作电位和静息电位的产生是由于

A.某些离子在细胞膜内外分布不均匀

B.细胞膜不同状态对各种离子的通透性不同

C.细胞膜内的正离子总是高于膜外

D.细胞膜内的带负电大分子物质总是高于膜外

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第4题

关于神经纤维动作电位的叙述错误的是

A.是细胞膜先后对Na+、K的通透性发生过性改变的结果

B.细胞外液Na+浓度降低,动作电位幅度降低

C.锋电位产生期间Na入K+的跨膜转运都是经通逆易化扩散

D.维持细胞产生动作电位能力是通过继发性主动转运完成

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第5题

关于神经纤维动作电位的叙述错误的是

A.是细胞膜先后对Na+、K的通透性发生过性改变的结果

B.细胞外液Na+浓度降低,动作电位幅度降低

C.锋电位产生期间Na入K+的跨膜转运都是经通逆易化扩散

D.维持细胞产生动作电位能力是通过继发性主动转运完成

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第6题

11、关于神经纤维动作电位的叙述错误的是

A.是细胞膜先后对Na+、K的通透性发生过性改变的结果

B.细胞外液Na+浓度降低,动作电位幅度降低

C.锋电位产生期间Na入K+的跨膜转运都是经通逆易化扩散

D.维持细胞产生动作电位能力是通过继发性主动转运完成

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第7题

细菌对磺胺药产生耐药性的主要机制是()。

A.产生水解酶

B.改变细胞膜通透性

C.产生钝化酶

D.改变代谢途径

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第8题

细菌对青霉素产生耐药性的最主要原因是

A.产生水解酶

B.产生钝化酶

C.改变代谢途

D.改变细胞膜通透性

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第9题

1、细菌对青霉素产生耐药性的最主要原因是

A.产生水解酶

B.产生钝化酶

C.改变代谢途

D.改变细胞膜通透性

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第10题

目前认为,细菌对磺胺产生耐药的主要原因是

A.改变代谢途径。

B.产生水解酶。

C.改变细胞膜通透性。

D.改变核糖体结构。

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第11题

细菌对青霉素产生耐药性主要原因是

A.产生水解酶

B.产生钝化酶

C.改变代谢途径

D.改变细胞膜通透性

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