题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

5. 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。 A. 硅中电子有效质量大 B. 硅的熔点较高 C. 硅的禁带较宽 D. 硅的纯度高，杂质少

A.A

B.B

C.C

D.D

答案

C、C

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第1题

硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高，是因为（）。

A.硅中电子有效质量大

B.硅的纯度高，杂质少

C.硅的禁带较宽

D.硅的禁带较窄

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第2题

室温时，下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是？

A.砷化镓>硅>锗

B.砷化镓>锗>硅

C.锗>砷化镓>硅

D.硅>锗>砷化镓

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第3题

下列半导体材料中，属于p型半导体的是（）。

A.硅中掺入硼

B.锗掺入磷

C.硅中掺入碳

D.锗掺入碳

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第4题

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化镓

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第5题

下列半导体材料中，表现为双极性行为的是（）。

A.磷化镓中的锗

B.磷化镓中的硅

C.磷化镓中的锗

D.磷化铟中的硅

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第6题

对于（）半导体材料而言，直接复合占优势。

A.硅

B.锗

C.磷化镓

D.锑化铟

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第7题

典型的本征半导体有

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.砷化镓(GaAs)

D.铁（Fe）

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第8题

对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（）。

A.变大

B.变小

C.不变

D.以上都不对

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第9题

半导体材料硅、锗和砷化镓在室温下其杂质全部电离。

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第10题

同样条件下，半导体材料（）反向电流密度变化最大。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.锑化铟

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