有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成。读写周期为0.5us。如采用异步刷新方式，假设单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是（）。

A.2ms

B.7.8125us

C.15.625us

D.31.25us

答案

（1）需要多少片DRAM 芯片？（64K×16）÷（16K×1）= 64 片（2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？2ms÷128 = 15.625μs（3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？128×500ns = 64μs

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第1题

有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

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第2题

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

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第3题

某机器的主存共32KB，由16片16K x 1位（内部采用128x128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个刷新操作周期

A.128

B.256

C.1024

D.16384

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第4题

一个128*128结构的DRAM芯片，每隔2ms要刷新一次，采用异步刷新方式，且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs，求刷新开销（即刷新操作的时间所占的百分比）

A.6.4%

B.3.2%