以下关于PN结特性的说法错误的是
A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
第1题
A.二极管整流电路利用的是PN结的单向导电特性。
B.PN结的电容效应可用于整流。
C.PN结的反向击穿特性和单向导电特性都可以用于稳压。
D.半导体材料的本征激发特性可用于制造热敏或光敏元件
第2题
A.PN结面积越大,允许流过的最大电流越大
B.PN结面积越大,允许流过的最大电流越小
C.二极管是利用PN结的单向导电特性制成的
D.二极管的伏安特性与PN结的伏安特性基本一致
第3题
A.PN结面积越大,允许流过的最大电流越大
B.PN结面积越大,允许流过的最大电流越小
C.二极管是利用PN结的单向导电特性制成的
D.二极管的伏安特性与PN结的伏安特性基本一致
第4题
A.PN结的正向导通电阻为0.649欧姆
B.PN结的正向导通电阻为649欧姆
C.PN结的正向导通压降为0.649V
D.PN结的正向导通压降为649V
第5题
A.PN结的正向导通电阻为0.649欧姆
B.PN结的正向导通电阻为649欧姆
C.PN结的正向导通压降为0.649V
D.PN结的正向导通压降为649V
第7题
A.能够将交流电转变成直流电
B.只允许电流从一个方向流过
C.低频整流特性较差
D.高频时,PN结反向阻抗大大降低的原因是由于PN结电容的旁路作用
第8题
A.PN结始终具有整流特性
B.平衡PN结中,N型半导体一侧的空间电荷 区是由施主杂质离子构成的
C.正向电压作用下,PN结电容以扩散电容为主 (
D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
第9题
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