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[主观题]

雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益,使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。

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第1题

简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
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第2题

随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第3题

随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第4题

外光电效应(光电倍增管)是入射光能量大,能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管
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第5题

雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
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第6题

【判断题】采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm()

A.Y.是

B.N.否

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第7题

光检测器是光接收机实现光/电转换的关键器件,其性能特别是响应度和噪声直接影响光接收机的灵敏度。目前采用的光检测器一般采用()。

A.PIN

B.APD

C.LED

D.LD

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第8题

光检测器是光接收机实现光/电转换的关键器件,其性能特别是响应度和噪声直接影响光接收机的灵敏度。目前采用的光检测器一般采用()。

A.PIN

B.APD

C.LED

D.LD

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第9题

下列关于高效液相色谱的光电二极管阵列检测器正确的是

A.光电二极管阵列检测器是在紫外检测器的基础上发展起来的

B.光电二极管阵列检测器与紫外检测器的检测范围基本一致

C.光电二极管阵列检测器得到的色谱图可以是三维的色谱-光谱图

D.光电二极管阵列检测器只适用于对紫外可见光有吸收的物质的检测

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第10题

雪崩击穿属于电击穿,是可逆的。
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