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[单选题]

9、导带底与价带顶之间的能量区域称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

答案
禁带
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第1题

7、空带上能量最低的允带称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第2题

3、相邻两能带之间可能出现电子不允许有的能量间隙,称为()

A.导带

B.价带

C.禁带

D.空带

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第3题

8、价电子所在的允带称为()。

A.价带

B.导带

C.禁带

D.能带

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第4题

1、半导体的本征激发对应于以下哪个过程?

A.电子从导带底跃迁到价带顶

B.空穴从价带顶跃迁到导带底

C.电子从价带顶跃迁到导带底

D.电子从价带底跃迁到导带顶

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第5题

半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带,导带 B.价带,禁带 C.禁带,导带 D.导带,价带
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第6题

半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带,导带 B.价带,禁带 C.禁带,导带 D.导带,价带
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第7题

能带和能带间不能有电子填充的叫

A.禁带

B.导带

C.价带

D.空带

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第8题

会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于()。

A.费米能级

B.禁带中央

C.导带底附近

D.价带顶附近

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第9题

在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级()

A.靠近价带顶

B.在禁带中线处

C.靠近导带底

D.以上都不是

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