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[主观题]

加入催化剂可使v (正)、v (逆) 以相同倍数增加,故不能使化学平衡移动

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第1题

N2(g) + 3H2(g) → 2NH3(g),ΔrHθm = −92.4 kJ· mol−1,升高温度时,正反应速率v正和逆反应速率v逆的变化为()

A.v正增大,v逆减小

B.v正减小,v逆增大

C.v正增大,v逆增大

D.v正减小,v逆减小

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第2题

理想气体从相同始态分别经绝热可逆膨胀和绝热不可逆膨胀到达相同的压力,则其终 态的温度、体积和体系的焓变必定是:

A.T可逆 > T不可逆,V可逆 > V不可逆,ΔH可逆 > ΔH不可逆

B.T可逆 < T不可逆,V可逆 < V不可逆,ΔH可逆 < ΔH不可逆

C.T可逆 < T不可逆,V可逆 > V不可逆,ΔH可逆 < ΔH不可逆

D.T可逆 < T不可逆,V可逆 < V不可逆,ΔH可逆 > ΔH不可逆

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第3题

下列叙述中正确的是()

A.溶液中的反应一定比气相中的反应速率大;

B.一般情况下,反应活化能越小,反应速率越大;

C.增大系统压强,反应速率一定增大;

D.加入催化剂,使Ea正和Ea逆减少相同倍数。

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第4题

下列有关硅二极管的说法,正确的是 。

A.死区电压为0.1V,正向导通电压为0.3 V

B.死区电压为0.3 V,正向导通电压为0.5 V

C.死区电压为0.5 V,正向导通电压为0.7 V

D.死区电压为0.7 V,正向导通电压为0.9 V

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第5题

实际气体的压力p和体积V与理想气体相比,分别会发生的偏差是()

A.p、V 都发生正偏差

B.p、V 都发生负偏差

C.p正偏差、V 负偏差

D.V正偏差

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第6题

化合物VC晶体中的C原子位于晶胞的间隙位置,故VC晶体结构与金属V的晶体结构相同。
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第7题

正平面在三个面上的投影是()。

A.V面上为面,H和W面上是不倾斜的直线

B.V面上为面,H和W面上是倾斜的直线

C.V和W面上是不倾斜的直线,H面上是面

D.V面上是倾斜的直线,H和W面上是面

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第8题

同组使用的V带应型号相同,长度相同。
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第9题

Z坐标不同,另两个坐标相同的点会在()面上出现重影点。

A.V

B.H

C.W

D.V和H

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