题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低

A.⑴⑵⑷

B.⑵⑶⑷

C.⑴⑶⑷

D.⑴⑵⑶⑷

答案

ABCDE

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更多“下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长…”相关的问题

第1题

下列特点当中，哪些是脉冲激光沉积技术制备薄膜的优点？

A.与靶材成分容易一致

B.靶材易于制备

C.生长过程可原位引入多种气体

D.可制备的薄膜种类多

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第2题

下列关于传感器制造工艺说法错误的是

A.丝网印刷技术是一种厚膜制造工艺

B.陶瓷烧结是一种多晶体制备工艺

C.溅射技术可以在塑料板上制造传感器薄膜电路

D.真空蒸发技术可以在塑料板上制造传感器薄膜电路

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第3题

关于病毒说法不正确的是（）。

A.是目前所知微生物中体积最微小的生物

B.含有DNA和RNA两种核酸

C.只有在电子显微镜下才能观察到

D.只能在一定种类的活细胞内生长繁殖，专营寄生生活

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第4题

地幔岩石部分熔融后形成的残余体，其化学特点上具有（）。

A.高Mg/Si比，高SiO2含量

B.低Mg/Si比，高SiO2含量

C.高Mg/Si比，低SiO2含量

D.低Mg/Si比，低SiO2含量

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第5题

地幔岩石部分熔融后形成的残余体，其化学特点上具有（）。

A.高Mg/Si比，低SiO2含量

B.高Mg/Si比，高SiO2含量

C.低Mg/Si比，低SiO2含量

D.低Mg/Si比，高SiO2含量

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第6题

不属于所有微生物共同特征的是

A.分布广泛

B.个体微小

C.种类繁多

D.只能在活细胞内生长繁殖

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第7题

嗜冷微生物是能在0℃下生长，其最适生长温度为20-40℃的微生物。

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第8题

嗜冷微生物是能在0℃下生长，其最适生长温度为20-40℃的微生物。

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第9题

一株精氨酸营养缺陷型的E.coli被转化进一个携带有精氨酸合成基因的野生型质粒。那么此菌株在补充有arg和不含有arg的2种最低营养培养平板上。生长的情况如何？（)

A.只在补充了arg的平板上生长

B.只在缺乏arg的平板上生长

C.两种平板均生长

D.两种平板均不生长

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第10题

关于细菌的半固体和液体培养的描述，错误的是（）。

A.半固体培养基可以用来培养厌氧菌

B.半固体培养基可以用来判断细菌是否有运动能力

C.细菌在液体培养基中，只在表面生长

D.细菌在液体培养基中生长，可以用来研究细菌的生长曲线

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